光催化氧化工藝的優(yōu)缺點.
來源:
m.vlirpiu.cn | 發(fā)布時間:2018年03月09日
昆明除塵布袋公司了解到,當照射半導體的光能量等于或大于禁帶寬度時,其價帶電子被激發(fā),跨過禁帶進入導帶,并在價帶中產(chǎn)生相應(yīng)空穴。電子從價帶激發(fā)到導帶,激發(fā)后分離的電子和空穴都有一部分進一步進行反應(yīng)。
研究表明,反應(yīng)物初始濃度對光催化效率或降解速率有明顯的影響。光催化效率隨著初始濃度增加而波動,存在明顯的濃度轉(zhuǎn)變點;低濃度目標物的光催化降解效率大于高濃度目標物的光催化降解效率。
濕度對光催化反應(yīng)的影響尚無一致性結(jié)論。對于不同化合物或者不同濃度等實驗條件,存在很大的差別。
光催化氧化工藝優(yōu)缺點
優(yōu)點:
處理效率高,運行費用低,適用于低濃度廣范圍的 VOCs特別對芳烴的去除效率高;
缺點:
昆明除塵布袋廠說過,它對高濃度 VOCs 處理效率一般;主要還停留在實驗室階段,缺乏實際應(yīng)用。